真空封管機(jī)主要用于將樣品放入石英管內(nèi)進(jìn)行無氧無水密封保存，采用動密封技術(shù)，讓石英管自動旋轉(zhuǎn)的同時(shí)進(jìn)行抽真空，充氣氛封裝，廣泛適用材料研究和生產(chǎn)領(lǐng)域，已經(jīng)被國內(nèi)眾多高校、科研院所和企業(yè)用于材料物理。真空封管機(jī)的五大亮點(diǎn)介紹：1、安全，可靠采用電解水技術(shù)產(chǎn)生可達(dá)2800℃氫氧火焰，可燒結(jié)φ45mm，壁厚2mm的石英管；替代傳統(tǒng)的乙炔，更加安全、可靠，氫氧機(jī)可以根據(jù)需要產(chǎn)氣，氣壓達(dá)到后自動停止產(chǎn)氣，確保安全。2、快速獲得真空分子泵機(jī)組用于對石英管抽真空，該泵組采用德國萊寶分子泵TU...

隨著經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，人們的生活水平不斷提高，對消費(fèi)品的質(zhì)量要求也越來越高，等離子技術(shù)隨之逐步進(jìn)入生活消費(fèi)品生產(chǎn)行業(yè)中；另外，科技的不斷發(fā)展，各種技術(shù)問題的不斷提出，新材料的不斷涌現(xiàn)，越來越多的科研機(jī)構(gòu)已認(rèn)識到等離子技術(shù)的重要性，并投入大量資金進(jìn)行技術(shù)攻關(guān)，等離子技術(shù)在其中發(fā)揮了非常大的作用。等離子體清洗技術(shù)的特點(diǎn)是不分處理對象的基材類型，均可進(jìn)行處理，對金屬、半導(dǎo)體、氧化物和大多數(shù)高分子材料，如聚丙烯、聚脂、聚酰亞胺、聚氯乙烷、環(huán)氧、甚至聚四氟乙烯等都能很好地處理，并可實(shí)現(xiàn)整體和...

為超導(dǎo)碳黑的進(jìn)一步鑒別、研究及碳紙各屬間親緣關(guān)系的鑒定提供依據(jù)。[方法]應(yīng)用掃描電鏡對超導(dǎo)碳黑進(jìn)行磁控濺射(鄭州科探)-Ag/碳紙(30mA+2min磁控濺射(鄭州科探)-Ag/碳紙(30mA+2min)磁控濺射(鄭州科探)-Ag/碳紙(30mA+4min磁控濺射(鄭州科探)-Ag/碳紙(60mA+4min)進(jìn)行觀察。[結(jié)果]在不同時(shí)間的線性規(guī)律性挺好根據(jù)這個(gè)表證結(jié)果我還想用PT靶濺射在碳材料上在里面加一個(gè)磁場，這樣表面氧化物有機(jī)薄膜。

第1步，石英管縮頸抽真空后開始燒結(jié)縮頸，縮頸部位燒至凹陷即可Step1:SilicatubeneckingFrittheneckingafterthevacuumizinguntiltheneckingpartgetssunken第2步，裝樣裝石英柱將樣品裝入石英管，將石英柱下滑至縮頸處卡住Step2:SilicacolumnsampleloadingPutthesampleintosilicatubesａndslidethesilicacolumntotheneckingf...

等離子體是物質(zhì)的一種存在狀態(tài)，通常物質(zhì)以固態(tài)、液態(tài)、氣態(tài)3種狀態(tài)存在，但在一些特殊的情況下可以以第四種狀態(tài)存在，如太陽表面的物質(zhì)和地球大氣中電離層中的物質(zhì)。這類物質(zhì)所處的狀態(tài)稱為等離子體狀態(tài)，又稱為物質(zhì)的第四態(tài)。由于等離子體中的電子、離子和自由基等活性粒子的存在，其本身很容易與固體表面發(fā)生反應(yīng)。等離子體清洗主要是依靠等離子體中活性粒子的“活化作用”達(dá)到去除物體表面污漬的目的。與濕法清洗相比，等離子清洗機(jī)的優(yōu)勢表面在以下幾個(gè)方面：1、在經(jīng)過等離子清洗之后，被清洗物體已經(jīng)很干燥，...

1.自我診斷技術(shù)自我診斷技術(shù)是在不停機(jī)或基本不拆機(jī)的情況下，通過各種檢測分析來判斷設(shè)備狀態(tài)是否正常，異常或故障的原因、部位、程度以及壽命的預(yù)測。自我診斷技術(shù)的主要作用是獲得設(shè)備的結(jié)果狀態(tài)信息，即根據(jù)設(shè)備在各種工況下，表現(xiàn)出來的精度超差，零點(diǎn)漂移，內(nèi)漏等所有狀態(tài)信息的綜合分析來識別產(chǎn)品的狀態(tài)、異常類型和異常的嚴(yán)重程度，其本質(zhì)是一個(gè)包含信號采集、信息提取、信息綜合、故障識別和信息利用的過程。自我診斷的目標(biāo)是確保產(chǎn)品在功能、精度、效率和可靠性方面均能穩(wěn)定運(yùn)行2.自我診斷技術(shù)在氣體質(zhì)...

快速退火爐是現(xiàn)代大規(guī)模集成電路生產(chǎn)工藝過程中的關(guān)鍵裝備主要用于離子注入后雜質(zhì)的激活、淺結(jié)制作、生長高質(zhì)量的氧化膜層和金屬硅化物合金形成等工藝。隨著集成電路工藝技術(shù)的飛速發(fā)展,開展快速退火爐系統(tǒng)的技術(shù)研究,對國內(nèi)開發(fā)和研究具有自主知識產(chǎn)權(quán)的快速退火爐裝備,有著十分重要的理論意義和工程應(yīng)用價(jià)值。本文針對現(xiàn)代半導(dǎo)體器件退火工藝對快速退火爐系統(tǒng)的技術(shù)要求,在綜合分析國內(nèi)外各種快速退火爐系統(tǒng)技術(shù)基礎(chǔ)上,通過深入的分析研究,設(shè)計(jì)了系統(tǒng)總體技術(shù)方案。擬定采用燈光輻射型熱源裝置,上下兩排成正...

熱電偶元件是在工業(yè)、科研中廣泛使用的一種溫度傳感器,具有測溫范圍廣,堅(jiān)固耐用,無自發(fā)熱現(xiàn)象,使用方便等優(yōu)點(diǎn)。薄膜熱電偶除了繼承上述普通熱電偶的優(yōu)點(diǎn)外,還具有熱容小,響應(yīng)速度快,幾乎不占用空間,對被測物體影響小的優(yōu)點(diǎn)。本研究為制備K型薄膜熱電偶選擇了電子束蒸發(fā)鍍,磁控濺射,多弧離子鍍?nèi)NPVD方法。其中一部分樣片的NiCr/NiSi薄膜均由磁控濺射均由磁控濺射沉積,另一部分樣片的NiCr薄膜由磁控濺射沉積,而NiSi薄膜由電子束蒸發(fā)沉積。所制備得到的薄膜熱電偶樣片使用SEM(E...